美光资本支出远超预期,亮眼营收指引难掩投资者忧虑。

据华尔街见闻,3月18日周三,美光发布季报,预计第三财季营收约335亿美元,每股利润约19.15美元,均大幅超出分析师预期。

然而,公司同时披露本财年资本支出将超过250亿美元,并预告2027财年支出将在此基础上再增逾100亿美元,双双超出市场预期。报告公布后,美光股价盘后一度下跌6%。

分析认为本次财报后的股价回调,更多反映的是市场对高估值与高资本开支组合下盈利可持续性的重新审视。在此之前,美光今年已累计上涨62%,是费城半导体指数中表现最佳的个股。

美光预计截至今年8月的2026财年,资本支出将超过250亿美元,而此前分析师的平均预期为224亿美元。公司还披露,2027财年资本支出将继续增加逾100亿美元。

首席执行官Sanjay Mehrotra在电话会议上表示:

我们预计2027财年资本支出将大幅提升。

相比之下,业绩本身确实堪称亮眼。第三财季营收指引约335亿美元,分析师此前平均预期为237亿美元;每股利润指引约19.15美元,分析师预期为11.29美元——两项指标的超预期幅度均超过40%。

刚刚结束的第二财季(截至2月26日)同样强劲,营收近乎翻三倍至239亿美元,每股盈利12.20美元,分别高于分析师平均预期的197亿美元和9美元。

在AI存储的下一代竞争中,美光正积极推进新一代高带宽内存HBM4的量产爬坡。

上月,首席财务官Mark Murphy在投资者沟通中明确表示公司已实现HBM4大规模量产,消息提振股价一度大幅上涨。

然而,一个关键的不确定性悬而未决:英伟达将在多大程度上依赖美光供应HBM4。

英伟达是AI加速芯片市场的主导厂商,其新一代Vera Rubin产品线的存储采购决策,将直接影响美光在HBM市场的份额。若英伟达在该产品线上转而倾向竞争对手,将对美光构成实质性冲击。

在此背景下,今年以来美光股价已累计上涨62%,是费城半导体指数中表现最佳的成分股。

(费城半导体指数中年初至今表现前三的成分股)

美光业绩的爆发,根植于全球AI算力投资浪潮所催生的存储芯片短缺。

高带宽内存(HBM)是训练和运行AI模型所必需的数据传输组件,需求急剧膨胀促使包括美光在内的存储厂商将更多产能向利润率更高的HBM订单倾斜,进而加剧了普通存储芯片的供应紧张,推动整体价格上涨。

全球存储芯片市场高度集中,仅由美光、三星电子和SK海力士三家主导,分析人士预计强劲需求将延续数年。

SK集团董事长崔泰源本周表示,由于半导体生产领域的结构性瓶颈,全球存储短缺局面可能再持续四至五年。据国际数据公司(IDC)预测,受存储危机影响,智能手机出货量今年将收缩13%。

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