正面回应长鑫4F2突破，美光CTO：3D DRAM“长期更可扩展和成本效益”
近期，全球存储芯片市场迎来新一轮估值震荡与技术路线论战。资本市场上，费城半导体指数与存储板块出现较大幅度回撤；而在产业端，长鑫存储在4F² DRAM架构上的突破性进展，引发了行业广泛讨论。
10月21日，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer主持了一场技术与产品网络研讨会，核心议题之一是回应此前长鑫披露4F²架构计划后在投资者中引发的担忧。
Scott DeBoer直言虽然内部曾对4F²进行长期评估和原型验证，但美光仍将坚持现有的6F²路线，并最终直接迈向3D DRAM。美光认为，从长期演进来看，3D DRAM在“扩展性与成本效益”上是更具确定性的选择。
他进一步解释称，决定DRAM位密度和成本扩展的关键因素是电容器间距。4F²架构的垂直沟道晶体管（VCAT）在间距缩减之外没有可行的扩展路径。
追风交易台消息，随后瑞银分析师Timothy Arcuri团队研究报告指出，若美光判断正确、行业最终倒向3D DRAM，沉积与蚀刻设备供应商有望从中受益。
华尔街见闻此前提及，长鑫存储总裁曹堪宇于10月10日披露，公司计划年底推出基于4F²架构的新一代DDR5 RDIMM，相比主流6F²架构，芯片面积可缩减约30%，单片晶圆可切出更多芯片。
长鑫4F²技术之所以引发行业高度关注，核心在于它直击了DRAM芯片最本质的商业痛点——单晶圆位元密度（Bit Density）与成本。
在传统DRAM设计中，行业主流多采用6F²架构。若能成功过渡到4F²，理论上可在相同制程节点下将单元面积缩小约30%以上，单片晶圆产出的有效Die（芯片颗粒）显著增加。
瑞银在跟踪美光技术沟通后指出，美光向市场传递了其对4F²量产瓶颈的判断：
第一，瓶颈在于电容而非晶体管。美光认为，DRAM微缩的终极瓶颈是电容间距，而非单纯的晶体管单元结构。如果电容间距无法同步压缩，单纯改变为4F²结构，并不能线性转化为持续的成本优势。
第二，VCAT的扩展天花板。4F²通常需要引入垂直通道晶体管（VCAT）。美光指出，VCAT除了继续压缩间距外，缺乏可持续的后续演进路径，且对ALD（原子层沉积）和选择性外延等工艺提出了极高的制造复杂度，量产成本可能侵蚀面积缩小的收益。
据德意志银行分析师Melissa Weathers在其会后报告中总结，美光不仅明确表示不计划向4F²架构过渡，还强调公司已对4F²方案进行了数十年的内部评估并开发过原型，但最终结论是：在行业迈向3D DRAM之前，6F²仍是更具吸引力的路径。
瑞银的分析指出，美光的这一表态实际上是在平行推进两条技术路径，类似于其在1-beta节点上对EUV采用与否所作的两手准备。公司认为3D DRAM最终将与其路线图交汇，并视其为"更具可扩展性和成本效益"的长期方案。
但美光的逻辑并不能代表整个产业的共识。
瑞银同期的研究显示，除了长鑫在此方向全力突破外，行业龙头三星亦被传出计划在未来的0a nm节点考虑引入4F²架构，以缓解电容高深宽比带来的工艺压力。
三星计划在2027年完成1d nm节点的6F²量产之后，于2028年底前推进0a nm节点的4F²导入。
在直接回应4F²质疑之外，美光此次研讨会亦着力强调自身的全面技术布局。
AI内存图谱外延：美光强调，AI对内存的需求不仅是单一层面的训练HBM，还包括推理、边缘AI、自动驾驶所需的LPDDR6、DDR6、SOCAMM以及1TB大容量RDIMM。
先进封装与逻辑集成：美光将混合键合（Hybrid Bonding）视为未来16-High及更高规格HBM的核心护城河，并积极推进与晶圆代工厂合作开发vHBM（垂直堆叠内存于计算核心之上）。美光试图证明，AI时代的存储竞争已经从“单比特成本控制”迁移到“内存、封装与逻辑架构的系统级协同”。
NAND价值重塑：美光同时展示了超过400层的Gen11 NAND路线图，强调AI时代针对高IOPS与高带宽的高性能存储需求，力图构建DRAM与NAND协同的综合壁垒。
对于长鑫4F²公告所引发的市场担忧，多家机构此前已作出较为审慎的评估。
野村证券认为，4F²与3D DRAM在2028年之前的展望期内"都不会产生实质性影响"，长鑫的4F²量产预计要到2027至2028年才能实现。中信证券也提示，4F²目前处于早期验证阶段，良率、产量及客户认证均有待观察，对中期存储产业格局的影响有限。
就长鑫自身的产业位置而言，其HBM业务尚处于起步阶段，短期内难以分享这一细分市场在AI算力驱动下的高溢价红利。在通用DRAM涨价斜率已明显收窄的背景下，这一结构性特征使其相对缺乏对冲空间。
TrendForce的跟踪数据显示，通用DRAM合约价环比涨幅已从2026年一季度的93%至98%，逐季收窄至三季度的13%至18%，四季度预计进一步降至10%至15%。
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鲍奕龙
