6月20日上午,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。

长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。

在开工仪式上,紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍,一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

此前,项目一期已于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产;今年4月成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

据公司官网介绍,作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量

2014年,国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》,同年9月国家大基金一期成立;2019年10月,规模超过2000亿的国家大基金二期也正式成立。

据中国证券报,从投向上看,国家大基金一期偏重于对资金需求度更高的制造环节,并且重点投向了国龙头企业,例如对中芯国际的承诺投资便达到了约215亿元,长江存储达到190亿元,华力微电子约116亿元。在存储领域,国家大基金一期重点投资了IDM模式(设计-制造-封装测试-销售为一体)的长江存储。

关于大基金二期投资方向时,分析认为,制造依然是大基金投资的重点。

上海证券报则在今年3月援引业内人士观点,虽然前期大基金已经投资了中芯国际、华力微电子、长江存储等,但鉴于集成电路制造的重要性、投资重大,大基金还要持续给予这些公司以及更多的相关公司支持。

华芯基金管理公司(国家集成电路二期基金)副总裁任凯今年3月也表示,二期基金积极支持湖北产业发展,已推动两个重大项目在湖北落地,分别是总投资规模800亿元左右的长江存储,以及总投资规模120亿元的三安光电。